Структурная схема оперативной памяти

Физические виды ОЗУ В большинстве современных компьютеров оперативная память представляет собой динамические модули памяти, содержащие полупроводниковые БИС ЗУ, организованные по принципу устройств с произвольным доступом. Память динамического типа дешевле, чем статического, и её плотность выше, что позволяет на том же пространстве кремниевой подложки размещать больше ячеек памяти, но при этом её быстродействие ниже.

Тем не менее, приведенная схема позволяет понять как работает реальное ОЗУ. Условно-графическое обозначение ОЗУ на принципиальных схемах приведено на рисунке 2. История Запоминающее устройство с произвольным доступом сокращённо ЗУПД ; также Запоминающее устройство с произвольной выборкой , сокращённо ЗУПВ - один из видов памяти компьютера, позволяющий единовременно получить доступ к любой ячейке всегда за одно и то же время, вне зависимости от расположения по её адресу на чтение или запись.

Одним из первых решений стало введение в состав ЭВМ специализированной ЭВМ, называемой каналом ввода-вывода, которое позволяло АЛУ работать независимо от устройств ввода-вывода. Первый широко распространённой тип перезаписываемой памяти прямого доступа был запоминающим устройством на магнитных сердечниках, разработанным в гг. Для построения ЗУПВ современных персональных компьютеров широко применяются полупроводниковые запоминающие устройства, в частности широко применяются СБИС запоминающих устройств оперативной памяти, по принципу организации подразделяемые на статические и динамические.

Статическая, наоборот, более быстрая память, но она и дороже. В связи с этим массовую оперативную память строят на модулях динамической памяти, а память статического типа используется для построения кеш-памяти в микропроцессоре. Память динамического типа англ.

Это усложняет применение ОЗУ динамического типа, но позволяет реализовать больший объём памяти. В современных динамических ОЗУ имеются встроенные системы синхронизации и регенерации, поэтому по внешним сигналам управления они не отличаются от статических. На главную О проекте Контакты. Редакционный совет Попечительский совет Отзывы о программе. Термин в Энциклопедическом Фонде Оперативная память. Random Access Memory , память с произвольным доступом - энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в которой временно хранятся данные и команды, необходимые процессору для выполнения им операции.

А это гораздо более длительные операции в 10 и более раз , чем переключение триггера, даже если конденсатор имеет весьма небольшие размеры. Причём разряжаются они тем быстрее, чем меньше их ёмкость. За то, что разряды в ней хранятся не статически, а "стекают" динамически во времени, память на конденсаторах получила своё название динамическая память.

Это отличает данный вид памяти от устройств памяти первых компьютеров, созданных в конце х - начале х гг. Первой коммерческой ЭВМ, использующей новую организацию памяти стала созданная в г. IBM , а первой массово продаваемой экземпляров - выпущенная в г. IBM , в которой были реализованы такие новшества, как память на ферритовых сердечниках и аппаратное средство вычисления чисел с плавающей запятой. Внешние устройства IBM и большинства компьютеров того времени были очень медленны например, лентопротяжное работало со скоростью 15 тыс.

Для хранения разряда бита или трита используется схема, состоящая из одного конденсатора и одного транзистора в некоторых вариациях конденсаторов два. Такой вид памяти решает, во-первых, проблему дороговизны один конденсатор и один транзистор дешевле нескольких транзисторов и во-вторых, компактности там, где в SRAM размещается один триггер, то есть один бит, можно уместить восемь конденсаторов и транзисторов.

Static Random Access Memory ОЗУ, собранное на триггерах, называется статической памятью с произвольным доступом или просто статической памятью. Поскольку триггеры собраны на вентилях, а время задержки вентиля очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро. Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в состав триггера, обходится дороже, даже если они вытравляются миллионами на одной кремниевой подложке.

Эволюционное развитие конструкции модулей памяти. Вход для зарегистрированных пользователей. Для получения права самостоятельно публиковать энциклопедические и научные статьи, авторам необходимо отправить заявку произвольной формы с указанием минимальных сведений о своей квалификации на e-mail: Термин в Энциклопедическом Фонде Оперативная память Оперативная память англ. Оперативное запоминающее устройство , ОЗУ - техническое устройство, реализующее функции оперативной памяти.

Кроме того, группа транзисторов занимает гораздо больше места, поскольку между транзисторами, которые образуют триггер, должны быть вытравлены линии связи. Используется для сверхбыстрого ОЗУ. Эволюционное развитие конструкции модулей памяти, используемых в качестве ОЗУ компьютеров.

Запоминающее устройство с произвольным доступом сокращённо ЗУПД ; также Запоминающее устройство с произвольной выборкой , сокращённо ЗУПВ - один из видов памяти компьютера, позволяющий единовременно получить доступ к любой ячейке всегда за одно и то же время, вне зависимости от расположения по её адресу на чтение или запись.

В динамических ОЗУ элементом памяти является ёмкость например, входная ёмкость полевого транзистора , что требует восстановления записанной информации в процессе её хранения и использования.

Обязательным условием является адресуемость каждое машинное слово имеет индивидуальный адрес памяти. Простейшая схема взаимодействия оперативной памяти с ЦП.

ОЗУ может изготавливаться как отдельный блок или входить в конструкцию, например однокристальной ЭВМ или микроконтроллера. Структурная схема статического ОЗУ приведена нa рисунке 1. Вход и выход ОЗУ в этой схеме объединены при помощи шинного формирователя. Естественно, что схемы реальных ОЗУ будут отличаться от приведенной на этом рисунке.

В связи с этим обстоятельством, дабы не потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов для восстановления необходимо "регенерировать" через определённый интервал времени. Регенерация выполняется центральным микропроцессором или контроллером памяти, за определённое количество тактов считывания при адресации по строкам. Так как для регенерации памяти периодически приостанавливаются все операции с памятью, это значительно снижает производительность данного вида ОЗУ. Память статического типа англ.

Есть и свои минусы. Во-первых, память на основе конденсаторов работает медленнее, поскольку если в SRAM изменение напряжения на входе триггера сразу же приводит к изменению его состояния, то для того чтобы установить в единицу один разряд один бит памяти на основе конденсатора, этот конденсатор нужно зарядить, а для того чтобы разряд установить в ноль, соответственно, разрядить.